Что такое транзистор?
В современном значении транзистором называют полупроводниковый радиоэлемент, предназначенный для изменения параметров электрического тока и управления им. У обычного полупроводникового триода имеется три вывода: база, на которую подаются сигналы управления, эмиттер и коллектор. Существуют также составные транзисторы большой мощности.
Поражает шкала размеров полупроводниковых устройств – от нескольких нанометров (бескорпусные элементы, используемые в микросхемах), до сантиметров в диаметре мощных транзисторов, предназначенных для энергетических установок и промышленного оборудования. Обратные напряжения промышленных триодов могут достигать до 1000 В.
Устройство
Конструктивно триод состоит из полупроводниковых слоев, заключённых в корпусе. Полупроводниками служат материалы на основе кремния, германия, арсенида галлия и других химических элементов. Сегодня проводятся исследования, готовящие на роль полупроводниковых материалов некоторые виды полимеров, и даже углеродных нанотрубок. Видимо в скором будущем мы узнаем о новых свойствах графеновых полевых транзисторов.
Раньше кристаллы полупроводника располагались в металлических корпусах в виде шляпок с тремя ножками. Такая конструкция была характерна для точечных транзисторов.
Сегодня конструкции большинства плоских, в т. ч. кремниевых полупроводниковых приборов выполнены на основе легированного в определённых частях монокристалла. Они впрессованы в пластмассовые, металлостеклянные или металлокерамические корпуса. У некоторых из них имеются выступающие металлические пластины для отвода тепла, которые крепятся на радиаторы.
Электроды современных транзисторов расположены в один ряд. Такое расположение ножек удобно для автоматической сборки плат. Выводы не маркируются на корпусах. Тип электрода определяется по справочникам или путём измерений.
Схематически строение транзистора можно представить в виде двух полупроводниковых диодов, разделённых дополнительным слоем. (Смотри рисунок 1). Именно наличие этого слоя позволяет управлять проводимостью полупроводникового триода.
Рис. 1. Строение транзисторов
На рисунке 1 схематически изображено строение биполярных триодов. Существуют ещё класс полевых транзисторов, о которых речь пойдёт ниже.
Базовый принцип работы
В состоянии покоя между коллектором и эмиттером биполярного триода ток не протекает. Электрическому току препятствует сопротивление эмиттерного перехода, которое возникает в результате взаимодействия слоёв. Для включения транзистора требуется подать незначительное напряжение на его базу.
На рисунке 2 показана схема, объясняющая принцип работы триода.
Рис. 2. Принцип работы
Управляя токами базы можно включать и выключать устройство. Если на базу подать аналоговый сигнал, то он изменит амплитуду выходных токов. При этом выходной сигнал точно повторит частоту колебаний на базовом электроде. Другими словами, произойдёт усиление поступившего на вход электрического сигнала.
Таким образом, полупроводниковые триоды могут работать в режиме электронных ключей или в режиме усиления входных сигналов.
Работу устройства в режиме электронного ключа можно понять из рисунка 3.
Рис. 3. Триод в режиме ключа
Обозначение на схемах
Общепринятое обозначение: «VT» или «Q», после которых указывается позиционный индекс. Например, VT 3. На более ранних схемах можно встретить вышедшие из употребления обозначения: «Т», «ПП» или «ПТ». Транзистор изображается в виде символических линий обозначающих соответствующие электроды, обведённые кружком или без такового. Направление тока в эмиттере указывает стрелка.
На рисунке 4 показана схема УНЧ, на которой транзисторы обозначены новым способом, а на рисунке 5 – схематические изображения разных типов полевых транзисторов.
Рис. 4. Пример схемы УНЧ на триодах
Статические характеристики биполярного транзистора
Эти характеристики показывают графическую зависимость между токами и напряжениями транзистора и могут применяться для определения некоторых его параметров, необходимых для расчета транзисторных схем. Наибольшее применение получили статические входные и выходные характеристики.
Рис. 10 — Входные характеристики германиевого транзистора типа р-n-р в схемах с ОБ (а) и ОЭ (б)
Входные статические характеристики представляют собой вольтамперные характеристики эмиттерного электронно-дырочного перехода (ЭДП). Если транзистор включен по схеме с общей базой, то это будет зависимость тока эмиттера от напряжения на эмиттерном переходе (рис. 10, а). При отсутствии коллекторного напряжения ( = 0) входная характеристика представляет собой прямую ветвь вольтамперной характеристики эмиттерного ЭДП, подобную ВАХ диода. Если на коллектор подать некоторое напряжение, смещающее его в обратном направлении, то коллекторный ЭДП расширится и толщина базы вследствие этого уменьшится. В результате уменьшится и сопротивление базы эмиттерному току, что приведет к увеличению эмиттерного тока, то есть характеристика пройдет выше.
При включении транзистора по схеме с общим эмиттером входной характеристикой будет графическая зависимость тока базы от напряжения на эмиттерном переходе . Так как эмиттерный переход и при таком включении остается смещенным в прямом направлении, то входная характеристика будет также подобна прямой ветви вольтамперной характеристики эмиттерного ЭДП (рис. 10, б).
Выходные статические характеристики биполярного транзистора — это вольтамперные характеристики коллекторного электронно-дырочного перехода, смещенного в обратном направлении. Их вид также зависит от способа включения транзистора и очень сильно от состояния, а точнее — режима работы, в котором находится эмиттерный ЭДП.
Если транзистор включен по схеме с общей базой (ОБ) и =0, то есть цепь эмиттера оборвана, то эмиттерный ЭДП не оказывает влияния на коллекторный переход. Так как на коллекторный ЭДП подано обратное напряжение, то выходная характеристика, представляющая собой зависимость тока коллектора от напряжения между коллектором и базой , будет подобна обратной ветви ВАХ диода (нижняя кривая на рис. 11, а). Если же на эмиттерный ЭДП подать прямое напряжение, то появится ток эмиттера , который создаст почти такой же коллекторный ток . Чем больше прямое напряжение на эмиттерном ЭДП, тем больше значения эмиттерного и коллекторного токов и тем выше располагается выходная характеристика.
Рис. 11 — Выходные характеристики германиевого транзистора типа р-п-р в схемах с ОБ (а) и ОЭ (б)
Сказанное справедливо и при включении биполярного транзистора по схеме с общим эмиттером (ОЭ). Разница состоит лишь в том, что в этом случае выходные характеристики снимают не при постоянных значениях тока эмиттера, а при постоянных значениях тока базы (рис. 11, б), и идут они более круто, чем выходные характеристики в схеме с ОБ.
При чрезмерном увеличении коллекторного напряжения происходит пробой коллекторного ЭДП, сопровождающийся резким увеличением коллекторного тока, разогревом транзистора и выходом его из строя. Для большинства транзисторов напряжение пробоя коллекторного перехода лежит в пределах от 20 до 30 В
Это важно знать при выборе транзистора для заданного напряжения источника питания или при определении необходимого напряжения источника питания для имеющихся транзисторов
Увеличение температуры вызывает возрастание токов транзистора и смещение его характеристик. Особенно сильно влияет температура на выходные характеристики в схеме ОЭ (рис. 12).
Рис. 12 — Зависимость выходных статических характеристик транзистора от температуры:
а — в схеме с ОБ, б — в схеме с ОЭ.
Встроенная диодная защита
Некоторые транзисторы (мощные и высоковольтные) могут быть защищены от обратного напряжения встроенным диодом.
Таким образом, если подключить щупы тестера к эмиттеру и коллектору в режиме проверки диодов, то он покажет те же 0,6 – 0,7 В (если диод смещен в прямом направлении) или «запертый диод» (если диод смещен в обратном направлении).
Если же тестер покажет какое-то небольшое напряжение, да еще в обоих направлениях, то транзистор однозначно пробит и подлежит замене. Закоротку можно определить и в режиме измерения сопротивления – тестер покажет малое сопротивление.
Встречается (к счастью, достаточно редко) «подлая» неисправность транзисторов. Это когда он поначалу работает, а по истечению некоторого времени (или по прогреву) меняет свои параметры или отказывает вообще.
Если выпаять такой транзистор и проверить тестером, то он успеет остыть до присоединения щупов, и тестер покажет, что он нормальный. Убедиться в этом лучше всего заменой «подозрительного» транзистора в устройстве.
В заключение скажем, что биполярный транзистор – одна из основных «железок» в электронике. Хорошо бы научиться узнавать – «живы» эти «железки» или нет. Конечно, я дал вам, уважаемые читатели, очень упрощенную картину.
В действительности, работа биполярного транзистора описывается многими формулами, существуют многие их разновидности, но это сложная наука. Желающим копнуть глубже могу порекомендовать чудесную книгу Хоровица и Хилла «Искусство схемотехники».
Биполярные транзисторы
Транзисторы можно рассматривать как своего рода переключатели, такие же как и многие электронные компоненты, например, реле или вакуумные лампы. Транзисторы применяются в различных схемах, и редко какая схема обходится без них, даже сейчас, при широком использовании микросхем. Существует два основных вида биполярных транзисторов – n-p-n и p-n-p, они различаются по проводимости.
Два схожих по параметрам транзистора разных проводимостей называют комплементарной парой. Если в какой-нибудь схеме, например, в усилителе, заменить транзисторы одного вида на транзисторы другого вида со схожими параметрами (не забыв изменить при этом полярность питающих напряжений, электролитических конденсаторов и полупроводниковых диодов), то схема будет работать точно так же, за исключением СВЧ диапазона, поскольку n-p-n транзисторы являются более высокочастотными, чем p-n-p, и здесь возможно не удастся подобрать комплементарную пару.
Биполярный транзистор – трёхэлектродный полупроводниковый прибор, разновидность транзистора. Электроды подключены к трём последовательно расположенным слоям полупроводника с чередующимся типом примесной проводимости.
Чаще всего в схемах применяют транзисторы структуры n-p-n. Это связано с тем, что в схемах эмиттеры транзисторов соединены с отрицательным источником питания.
Соответственно и общий провод схемы так же будет соединён с отрицательным выводом источника питания, что является общепринятым стандартом.
Транзисторы выпускаются в различных корпусах, но все они имеют три вывода (у высокочастотных транзисторов иногда имеется и четвёртый вывод, соединённый с металлическим корпусом – экраном):
- База- это управляющий вывод;
- Коллектор- находится под положительным потенциалом (для n-p-n транзистора);
- Эмиттер- находится под отрицательным потенциалом (для n-p-n транзистора).
Биполярный транзистор в схеме с ОБ
1.
Цель и содержание работы
Целью работы является изучение принципа действия,
основных параметров и статических вольтамперных характеристик (ВАХ) биполярного
транзистора в схеме с общей базой (ОБ). В работе снимаются входные, выходные и
передаточные ВАХ германиевых и кремниевых транзисторов. По характеристикам определяется
основные параметры.
1.
Характеристики и параметры биполярных транзисторов
Биполярный транзистор представляет собой трёхэлектродный полупроводниковый
прибор на основе p-n-p или n-p-n структуры, предназначенный для усиления и генерации
электрических сигналов. Процессы в p-n-p и n-p-n структурах протекают аналогично. Например, в р-п-р
структуре n-область, разделяющая p-области,
называется базой, одна из p-областей – эмиттером, а другая – коллектором
(рис. 3.1).
В основном рабочем режиме – активном, эмиттерный переход
смещен в прямом направлении, коллекторный – обратном. Полярности внешних напряжений
в схеме с ОБ для p-n-p или n-p-n транзисторов показаны на рис. 3.2. Эмиттер легирован
значительно сильнее, чем база, поэтому при включении его в прямом направлении
ток эмиттера в p-n-p- транзисторе представляет собой ток инжекции дырок в базу.
Инжектированные дырки диффундируют к коллектору. Так как ширина базы много меньше диффузионной длины дырок , то большая часть дырок доходит до обратно
смещенного коллектора, захватывается его полем и переносится в коллектор,
образуя коллекторный ток.
Рис. 3.1. Структура биполярного p-n-p транзистора
а)
б)
Рис.
3.2. Полярности
на p-n-p (а) и n-p-n (б) транзисторах
для нормального включения
Поскольку коллектор включен в обратном направлении, то его
ток определяется только дырками, дошедшими из эмиттера, и почти не зависят от
напряжения на коллекторе. Коллектор обладает большим выходным сопротивлением и
по отношению к внешней цепи является генератором тока .
Высокое выходное сопротивление коллекторного перехода позволяет включить в его
цепь достаточно большое сопротивление нагрузки, на котором выделяется мощность,
значительно больше мощности, затраченной во входной цепи. Энергия источника
питания с помощью транзистора преобразуется в энергию электрического сигнала.
2.1. Коэффициент передачи тока
При = 0 через коллекторный переход
идет некоторый начальный обратный ток ,
обусловленный тепловой генерацией электронно-дырочных пар.
Коэффициент передачи тока показывает
отношение коллекторного тока (без ) к эмиттерному.
, так как обычно (3.1)
Величина зависит от параметров
базы и эмиттера, она обычно близка к единице и составляет около 0,95…..0,98.
Закон Кирхгофа для токов в транзисторе выражается соотношением
, что позволяет, используя (3.1),
представить ток базы и в виде:
= (3.2)
(3.3)
Основную долю базового тока составляет ток рекомбинации,
пропорциональный общему избыточному заряду дырок в базе
, (3.4)
где – время
жизни дырок в базе.
На рис. 3.3 показано распределение дырок в базе для двух
напряжений на коллекторном переходе. Распределение дырок в базе подчиняется
уравнению непрерывности и граничным условиям Шокли у эмиттерного перехода
, (3.5)
где — равновесная концентрация
дырок в n-базе;
– собственная
концентрация;
–
концентрация доноров в базе.
На коллекторном переходе
Так как в нормальном режиме и , то , а . Ток дырок в базе имеет
диффузионный характер, поэтому
, (3.6)
где –
площадь эмиттерного перехода.
Так как рекомбинация в тонкой
базе незначительна, то
и
Распределение дырок в базе имеет
почти линейный вид (рис.3.3)
, (3.7)
а заряд дырок , проходящих сквозь базу, пропорционален
заштрихованной на рис. 3.3 площади
(3.8)
Рис. 3.3. Распределение дырок в базе p-n-p транзистора
в активном нормальном режиме
Коэффициент передачи тока с
учетом (4.3) и (4.4) принимает вид
, поскольку (3.9)
Это выражение правильно передаёт зависимость коэффициента передачи
от толщины базы и времени жизни дырок в ней, но не учитывает вкладов электронных
токов эмиттерного и коллекторного переходов.
2.2. Вольтамперные характеристики транзистора
При включении транзистора по схеме с ОБ входным током будет
ток эмиттера , выходным — ток коллектора , входным напряжением — напряжение на
эмиттерном переходе , выходным — напряжение на
коллекторном переходе (рис. 3.2).
Входные ВАХ показаны на рис. 3.4.а. Они почти повторяют ВАХ
прямосмещенного эмиттерного перехода
где —
обратный ток эмиттерного перехода.
Выходные характеристики показаны
на рис. 3.4б.
а) б)
Рис. 3.4. Вольтамперные характеристики
транзистора в схеме с ОБ:
а) – входные; б) — выходные
При выходная ВАХ представляет собой
перевернутую характеристику коллекторного перехода с током насыщения . При к нему прибавляется ток
. Полный ток коллектора составляет
(3.10)
h-параметры биполярного транзистора
Все описанное выше касалось работы транзистора при постоянных напряжениях и токах его электродов. При работе транзисторов в усилительных схемах важную роль играют переменные сигналы с малыми амплитудами. Свойства транзистора в этом случае определяются так называемыми малосигнальными параметрами.
На практике наибольшее применение получили малосигнальные h-параметры (читается: аш-параметры). Их называют также гибридными, или смешанными, из-за того, что одни из них имеют размерность проводимости, другие сопротивления, а третьи вообще безразмерные.
Всего h-параметров четыре: (аш-один-один), (аш-один-два), (аш-два-один) и (аш-два-два) и определяются они следующими выражениями:
при .
Запись const является сокращением слова constanta, то есть постоянная величина. В данном случае это означает, что при определении параметра приращения входного напряжения и входного тока выбираются при неизменном (постоянном) значении выходного напряжения . Параметр характеризует входное сопротивление биполярного транзистора и измеряется в омах. Более кратко выражение для определения параметра записывают в виде:
Параметры , и определяются следующими выражениями:
— коэффициент обратной связи по напряжению, безразмерная величина;
— коэффициент прямой передачи по току, безразмерная величина;
— выходная проводимость, измеряется в сименсах (См ).
Рис. 13 — Токи и напряжения транзистора в схемах с ОЭ (а) и ОБ (б)
Рис. 14 — Определение статических h-параметров транзистора по его статическим характеристикам
Знак Δ означает небольшое изменение напряжения или тока относительно их значений в статическом режиме.
Все h-параметры можно определить по статическим характеристикам. При этом параметры и определяются по входным, а и — по выходным характеристикам. Необходимо только иметь в виду, что значения h-параметров зависят от схемы включения транзистора. Для указания схемы включения к цифровым индексам h-параметров добавляется буквенный индекс: б — если транзистор включен по схеме ОБ, или э — если транзистор включен по схеме ОЭ. Кроме того, приращения входных и выходных токов и напряжений нужно заменить приращениями напряжений и токов соответствующих электродов транзистора с учетом конкретной схемы включения (рис. 14).
Значения h-параметров зависят от режима работы транзистора, т. е. от напряжений и токов его электродов. Режим работы транзистора определяется на характеристиках положением рабочей точки, которую будем обозначать в дальнейшем буквой А. Если указано положение рабочей точки А на семействе статических входных характеристик транзистора, включенного по схеме ОЭ (рис. 14, а), параметры и определяются следующим образом:
Параметры и определяются в рабочей точке А по выходным характеристикам (рис. 14, б) в соответствии с формулами:
Аналогично рассчитываются h-параметры для схемы ОБ.
При расчете параметров и надо токи и напряжения подставлять в формулы в основных единицах измерения.
Параметр называют коэффициентом передачи тока в схеме ОБ, а — коэффициентом передачи тока в схеме ОЭ. В отличие от статических коэффициентов передачи и — рассчитываемых как отношение выходного тока к входному в схемах ОБ и ОЭ, параметры и определяются как отношения изменений выходных токов к вызвавшим их изменениям входных токов. Иными словами, параметры и характеризуют усилительные свойства транзистора по току для переменных сигналов.
SIT-транзистор
SIT – полевой транзистор с управляющим p-n переходом со статической индукцией. Является многоканальным и имеет вертикальную структуру. Схематическое изображение SIT и схема включения с общим истоком показаны на рисунке:
Области полупроводника р-типа имеют форму цилиндров, диаметр которых составляет единицы микрометров и более. Эта система цилиндров играет роль затвора. Каждый цилиндр подсоединен к электроду затвора (на рисунке «а» электрод затвора условно не показан).
Пунктиром обозначены области p-n-переходов. Реальное число каналов может составлять тысячи. Обычно SIT используется в схемах с общим истоком.
Каждый из рассмотренных приборов имеет свою область применения. Ключи на тиристорах применяются в устройствах, работающих на низких частотах (килогерцы и ниже). Основным недостатком таких ключей являются низкое быстродействие.
Основной областью применения тиристоров являются низкочастотные устройства с большой коммутируемой мощностью вплоть до нескольких мегаватт, не предъявляющих серьезных требований к быстродействию.
Мощные биполярные транзисторы применяются в качестве высоковольтных ключей в устройствах с частотой коммутации или преобразования, находящейся в диапазоне 10-100 кГц, при уровне выходной мощности от единиц Вт до нескольких кВт. Оптимальный диапазон коммутируемых напряжений 200-2000 В.
Полевые транзисторы (MOSFET) применяются в качестве электронных ключей для коммутации низковольтных высокочастотных устройств. Оптимальные значения коммутируемых напряжений не превышают 200 В (максимальное значение до 1000 В), при этом частота коммутации может находится в пределах от единиц кГц до 105 кГц. Диапазон коммутируемых токов составляет 1,5-100 А. Положительным свойствами этого прибора является управляемость напряжением, а не током, и меньшая зависимость от температуры по сравнению с другими приборами.
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) применяются на частотах менее 20 кГц (некоторые типы приборов применяются на частотах более 100 кГц) при коммутируемых мощностях выше 1 кВт. Коммутируемые напряжения не ниже 300-400 В.Оптимальные значения коммутируемых напряжений свыше 2000 В. IGBT и MOSFET требуют для полного включения напряжения не выше 12-15 В, для закрытия приборов не требуется подавать отрицательное напряжение. Они характеризуются высокими скоростями переключения.
Виды транзисторов
По принципу действия и строению различают полупроводниковые триоды:
- полевые;
- биполярные;
- комбинированные.
Эти транзисторы выполняют одинаковые функции, однако существуют различия в принципе их работы.
Полевые
Данный вид триодов ещё называют униполярным, из-за электрических свойств – у них протекает ток только одной полярности. По строению и типу управления эти устройства подразделяются на 3 вида:
- Транзисторы с управляющим p-n переходом (рис. 6).
- С изолированным затвором (бывают со встроенным либо с индуцированным каналом).
- МДП, со структурой: металл-диэлектрик-проводник.
Отличительная черта изолированного затвора – наличие диэлектрика между ним и каналом.
Детали очень чувствительны к статическому электричеству.
Схемы полевых триодов показано на рисунке 5.
Рис. 5. Полевые транзисторы
Рис. 6. Фото реального полевого триода
Обратите внимание на название электродов: сток, исток и затвор. Полевые транзисторы потребляют очень мало энергии
Они могут работать больше года от небольшой батарейки или аккумулятора. Поэтому они нашли широкое применение в современных электронных устройствах, таких как пульты дистанционного управления, мобильные гаджеты и т.п
Полевые транзисторы потребляют очень мало энергии. Они могут работать больше года от небольшой батарейки или аккумулятора. Поэтому они нашли широкое применение в современных электронных устройствах, таких как пульты дистанционного управления, мобильные гаджеты и т.п.
Биполярные
Об этом виде транзисторов много сказано в подразделе «Базовый принцип работы». Отметим лишь, что название «Биполярный» устройство получило из-за способности пропускать заряды противоположных знаков через один канал. Их особенностью является низкое выходное сопротивление.
Транзисторы усиливают сигналы, работают как коммутационные устройства. В цепь коллектора можно включать достаточно мощную нагрузку. Благодаря большому току коллектора можно понизить сопротивление нагрузки.
Более детально о строении и принципе работы рассмотрим ниже.
Комбинированные
С целью достижения определённых электрических параметров от применения одного дискретного элемента разработчики транзисторов изобретают комбинированные конструкции. Среди них можно выделить:
- биполярные транзисторы с внедрёнными и их схему резисторами;
- комбинации из двух триодов (одинаковых или разных структур) в одном корпусе;
- лямбда-диоды – сочетание двух полевых триодов, образующих участок с отрицательным сопротивлением;
- конструкции, в которых полевой триод с изолированным затвором управляет биполярным триодом (применяются для управления электромоторами).
Комбинированные транзисторы – это, по сути, элементарная микросхема в одном корпусе.
Устройство и принцип работы тиристора (тринистора)
Тринистор является управляемым прибором. Он содержит управляющий электрод (УЭ), подключаемый к полупроводнику р-типа или полупроводнику n-типа среднего перехода 2.
Структура, УГО и ВАХ тринистора (обычно называют тиристором) приведены на рисунке:
Напряжение Uвыкл, при котором начинается лавинообразное нарастание тока, может быть снижено введением неосновных носителей заряда в любой из слоев, прилегающих к переходу 2. В какой мере снижается Uвкл показано на ВАХ. Важным параметром является отпирающий ток управления Iу.от, который обеспечивает переключение тиристора в открытое состояние при напряжениях, меньших напряжения Uвкл. На рисунке показаны три значения напряжение включения UIвкл < Unвкл < Umвкл соответствует трем значениям управляющего тока UIу.от > Unу.от > Umу.от.
Рассмотрим простейшую схему с тиристором, нагруженным на резисторную нагрузку Rн
Iа – ток анода (силовой ток в цепи анод-катод тиристора ); Uак – напряжение между анодом и катодом; Iу – ток управляющего электрода ( в реальных схемах используют импульсы тока ); Uук – напряжение между управляющим электродом и катодом; Uпит – напряжение питания.
Для перевода тиристора в открытое состояние не управляющий электрод подается от схемы формирования импульсов кратковременный (порядка нескольких микросекунд) управляющий импульс.
Характерной особенностью рассматриваемого незапираемого тиристора, который очень широко используется на практике, является то, что его нельзя выключить с помощью тока управления.
Для выключения тиристора на практике на него подают обратное напряжение Uак < 0 и поддерживают это напряжение в течении времени, большего так называемого времени выключения tвыкл. Оно обычно составляет единицы или десятки микросекунд.
Устройство биполярного транзистора
Согласно типовых схем, буквой «Б» называется «База» — внутренний слой аппарата, его фундамент, который приводит преобразование или изменение токового сигнала. Стрелка в кругу показывает движение токовых зарядов в «Э».
«Э» — «Эмиттер» — внутренняя основная составляющая транзистора, предназначенный для переноса заряженных элементарных частиц в «Б».
«К» — «Коллектор» — вторая составляющая транзисторного устройства, которая производит сбор тех же зарядов, которые проходят через «Б».
Пласт «Базы» конструктивно выполняют очень тоненьким в связи с рекомбинированием заряженных частиц, которые идут через базовый слой, с составными частицами данного пласта. В то же время пласт «Коллектора» конструируют как можно шире для качественного сбора зарядов.
Источник: